应用材料增价59％收购国际电气 为获得薄膜沉积技术

日本的佳能曾经是最大的光刻机制造商之一，后来逐渐衰微。但佳能并没有放弃光刻机业务。据日经中文网报道，....

在电磁波理论和技术的发展过程中，超材料和超表面在学术界受到了很多重视。而随着半导体技术的不断发展，在....

随着中国大陆芯片设计公司数量已呈快速增长趋势，IP国产化需求迫切。据中国半导体行业协会集成电路设计分....

这几年，手机厂商自研半导体已是司空见惯的现象，做芯片可以说是手机厂商构筑护城河，往上走的一个关键点。....

据台湾媒体爆料称，在日本经济产业省极力的邀请下，台积电计划将在日本东京设立先进封测厂。

日本光学设备制造巨头佳能（Canon）正计划靠提升光刻机的生产效率来抢占市场。按照计划，今年3月份，....

2016-2019年，全球DRAM市场波动变化，2019年市场销售额为620亿美元，同比下降37%。....

周二（1月5日）韩国产业通商资源部和半导体协会发布的数据显示，2020年韩国芯片出口额同比增长了5.....

根据公告，比亚迪半导体主要业务覆盖功率半导体、智能控制IC、智能传感器及光电半 导体的研发、生产及销....

环球晶圆是全球重要的晶圆供应商，他们拥有完整的晶圆生产线，生产高附加值的晶圆产品，除了用于制造芯片的....

据消息人士透露，在日本政府的极力邀请下，台积电将与日本经济产业省成立合资公司，双方将以各出资一半的合....

上海临港公众号消息显示，该项目总投资120亿元，预计年产晶圆片40万片，经封装、测试后的功率器件产品....

美国最大半导体设备制作商——应用材料公司（Applied Materials）日前发布消息称，计划把....

? ? 距上一轮融资不足5个月，优艾智合机器人1月4日再次宣布获得蓝驰领投的新一轮融资。2020年受....

项目包括和元智造精准医疗产业基地项目、新昇半导体新增30万片集成电路用300mm高端硅片研发与先进制....

新冠疫情肆虐下，“不确定性”成为大家频繁使用的话语。一些人觉察到，控制或许是幻觉，苹果则认识到，必须....

三星会长李健熙2020年10月份病逝，宣告了三星第二代掌门人时代的结束。但三星的走向，并未因李健熙病....

汽车行业向电动化、智能化、数字化及联网化方向发展，直接带动汽车 含硅量提升。新能源电动汽车的出现意味....

随着基因合成及编辑技术的发展进步，生物学家能够以类似于计算机编程的方式对自然界的活体系统进行定制化的....

不久前，中国证监会北京监管局官网披露，龙芯中科技术股份有限公司（下称“龙芯”）拟于科创板上市。 龙芯....

受上游晶圆代工产能紧缺问题的持续影响，自去年四季度以来，很多半导体芯片都出现了一波价格上涨。特别是在....

如今，伴随着各种智能技术与装备的快速发展，半导体产业的重要性愈发凸显。半导体不仅是传统产业智能化升级....

产业结构方面，2019年，陕西省半导体中制造业的收入规模最大，达524亿元，占半导体整体收入规模的5....

2021中国IC风云榜“年度最具成长潜力奖”征集现已启动！入围标准要求为营收500万-1亿元的未上市....

半导体器件是现代电子工业中十分耀眼的明星，近几十年得到了长足的发展，凭借诸多优势，已广泛应用于控制、....

去年以来，半导体行业“涨声”不绝于耳，涨价环节涉及代工、设计以及封测环节，涨价领域则包括内存芯片、电....

此外，他们还通过相对较大的样本展示了金刚石微桥阵列如何实现同步的深弹性应变。而超大的、高度可控的弹性....

从2010年快速发展至今，智能手机产业恰好十年。这十年中，中国智能手机产业经历了从弱到强的实质蜕变。....

2019年开始，华为5G正式享誉全球，在美国打压的情况下，华为依然拿到了最多的5G订单，而且任正非也....

1月5日，中国电科（北京）集成电路核心装备自主化及产业化建设项目（一期）开工奠基仪式在北京举行。 据....

近年来我国在科技领域取得了一系列不菲的成就。尤其是在通信领域，由华为，中兴等企业主导的中国5G技术领....

据彭博社今日下午报道，继赴美建设5nm晶圆代工厂后，全球晶圆代工龙头台积电正计划赴日本建设先进封装厂....

2021中国IC风云榜“年度新锐公司”征集现已启动！入围标准要求为营收过亿元的未上市、未进入IPO辅....

2021中国IC风云榜“年度最具成长潜力奖”征集现已启动！入围标准要求为营收500万-1亿元的未上市....

事情的起因为蒋尚义的回归。12月15日，中芯国际宣布蒋尚义担任公司副董事长。但随即，中芯国际联席CE....

在P型和N型半导体的交界面附近，由于N区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由N区向电子浓度低....

岁末交替之际，新洁能、汇顶科技、士兰微、富满电子等多家半导体大厂发布涨价通知函，紫光国微称部分产品不....

? 集微网消息 科创板自开板运行以来，半导体公司选择科创板上市热情持续高涨。截止2020年12月31....

? ? 集微网详细整理了120家中国芯上市企业的公开财报信息，分析公开财报的2020年12个月上市公....

? 集微网消息 近日，江苏监管局披露了苏州东微半导体股份有限公司（以下简称：东微半导体）辅导备案信息....

日本佳能正通过光刻机加快抢占高功能半导体市场。佳能时隔7年更新了面向小型基板的半导体光刻机，提高了生....

深圳天狼芯半导体有限公司（以下简称“天狼芯”）于近日宣布获得数千万人民币A轮融资。本轮融资由青岛大有....

据台湾媒体爆料称，在日本经济产业省极力的邀请下，台积电计划将在日本东京设立先进封测厂。

? ? 集微网消息，近年来，随着华勤、闻泰为代表的手机ODM厂商的快速发展，中国手机制造产业链的成本....

据韩联社报道，韩国产业通商资源部和半导体协会1月5日发布的一份数据资料显示，2020年韩国半导体出口....

2020年12月底,隆冬已至,寒潮来袭。但中国的半导体行业景气度却持续回暖,旺盛需求刺激设备国产化进....

在过去的一年中，半导体领域产品价格频繁上涨，这个趋势极有可能在新的一年里持续蔓延，新年伊始，已经有数....

1月5日消息，据国外媒体报道，在居家办公学习及娱乐设备的需求增加、5G智能手机大量推出的推动下，全球....

引进蒋尚义，对于中芯国际来说是一着险棋。重锤空降，中芯国际高层的平衡木需要重新调校。 中芯国际“内斗....

据台媒《联合报》1月5日报道，有消息人士透露，在日本政府的极力邀请下，台积电将与日本经济产业省成立合....

半导体芯片行业的运作模式

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等...

我们先来了解开关电源芯片实际是利用电子开关器件MOS管，通过控制电路，使电子开关器件不停地“接通”和“关断”，让电子开关...

A，S，C，C 在半导体行业分别是哪几家？

半导体元器件之二极管

巨变一：模拟硬件方面需根本性突破 巨变二：全新的内存和存储解决方案 巨变三：通信需要新的研究方向 巨变四：硬件研究需要突...

半导体产业中的检测设备贯穿于半导体生产制造流程(包括IC设计、制造以及封测)，主要用于检测产品在生产过程中和成品产出后的各...

　　半导体发展至今，无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进，如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样，半导体器件的...

半导体失效分析项目介绍，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-R...

LM3xxLV系列包括单个LM321LV，双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321，LM358和LM324的替代产品，适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器，烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能，并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定，在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23，SOIC，VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz < li>低静态电流：90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单，双和四通道变体 稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

TLV9051，TLV9052和TLV9054器件分别是单，双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作，高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF，电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高，容性更高。 TLV905x系列易于使用，因为器件是统一的 - 增益稳定，包括一个RFI和EMI滤波器，在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率：15 V /μs 低静态电流：330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压：±0.33 mV 单位增益带宽：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输入偏置电流：2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环，电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本，NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器，微处理器，或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准，对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节，读字节，发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消，可编程非理想性因子，大范围远程温度测量（高达150℃），和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（最大值） 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比?数字温度传感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计，这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测（采用两相配置的差分），可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度。此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括与使能信号同步的GPO信号）。在启动和电压变化期间，器件会对出转换率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作，同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗，高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值）。 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻辑（V MR _L ）。当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR ）时，复位信号被清除）浮动或高于V MR _H ，复位时间延迟（t D ）到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位，CT引脚可以悬空。 附加功能：低上电复位电压（V POR ）， MR 和VDD的内置线路抗扰度保护，内置迟滞，低开漏输出漏电流（I LKG（OD））。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案，适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压：1.5 V至10 V 纳米电源电流：350 nA（典型值） 固定阈值电压（V IT - ） 阈值从1.6 V到4.9 V，步长为0.1 V 高精度：1％（典型值） 内置滞后（V IT + ） 1.6 V＆lt; V IT - ≤3.1V= 100mV（典...

INA240-SEP器件是一款电压输出，电流检测放大器，具有增强的PWM反射功能，能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V，与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作，适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量，无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测，分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁（SEL）免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad（Si） TotalIonizing Dose（TID）RLAT至20krad（Si） 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC，LM96000测量： 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP，2.5V，3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定标电阻）。 为了设置风扇速度，LM96000有三个PWM输出，每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器，可调用该滤波器以平滑温度读数，从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入，用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V，3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）或计算机处理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器，用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数，查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数，通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入，功能的多功能，用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造，可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗，自监控，超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案，可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺，可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统，其中包含TI的高性能C674x DSP，用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统，负责无线电配置，控制和校准。此外，该器件还包括一个用户可编程ARM R4F，用于汽车接口。硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理，并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现（短，中，长），并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外，该设备作为完整的平台解决方案提供，包括参考硬件设计，软件驱动程序，示例配置，API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL，发送器，接收...

OPAx388（OPA388，OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器是超低噪声，快速稳定，零漂移，零交叉器件，可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合，使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中实现优异性能，不会降低线性度.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8，SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388（双通道版本）提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388（四通道版本）提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压：±0.25μV 零漂移：±0.005μV/°C 零交叉：140dB CMRR实际RRIO 低噪声：1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声：140nV < sub> PP （0.1Hz至10Hz） 快速稳定：2μs（1V至0.01％） 增益带宽：10MHz 单电源：2.5V至5.5V 双电源：±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰（ EMI）/射频干扰（RFI）的输入 行业标...

TLVx314-Q1系列单通道，双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗，通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA），3MHz高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性，支持轨到轨输入和输出（RRIO），容性负载高达300PF，集成RF和EMI抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM））。 此类器件经过优化，适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1（单通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺寸（VSSOP）封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸（TSSOP）封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作，可检测磁通密度，并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时，器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大，可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT，1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT DRV5021A3：17.9 mT，14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围：-40° C至+ 125°C 标准工业封装： 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?霍尔效应锁存器和开关 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围，推挽输出，轨到轨输入，低静态电流，关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，如智能二极管控制器的反向电流保护，过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处，它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压，低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任何应用，从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准，采用6引脚SOT-23封装，额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果： DeviceTemperature 1级：-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流：每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管，或者基板热晶体管/二极管，这些器件都是微处理器，模数转换器（ADC），数模转换器（DAC），微控制器或现场可编程门阵列（FPGA）中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度，分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议，以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消，可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度，进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V，额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准：5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试，在50rad /s的高剂量率（HDR）下，可抵抗高达50krad（Si）的电离辐射总剂量（TID） 经测试，在10mrad /s的低剂量率（LDR）下，可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核，配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度。此外，开关时钟可以强制为PWM模式，也可以与外部时钟同步，以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量，无需增加外部电流检测电阻器。此外，LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号，以控制外部稳压器，负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间，器件控制输出压摆率，以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器，经过优化，能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量，防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球，0.4 mm间距CSP封装，尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1％THD + N（3.6 V时4Ω） 5 W 1％THD + N（在3.6 V时为8Ω） 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1％THD + N（8Ω） 100dB PSRR，200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5％效率为1 W （8Ω，VBAT = 4.2V） ＆lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器，具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM：8通道（32位/96 kHz） I 2 < /sup> C：4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本，包括两个高压（36V）操作放大器（运算放大器）。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值，具有低失调（300μV，典型值），共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性，3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kV，HBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于最坚固，极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装，例如TSOT-8和WSON，以及行业标准封装，包括SOIC，TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围（B版） 供应 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地，使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV（A和B型号，最大值） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上，除非另有说明，否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上，生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出，2个两相输出，1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度。此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器，烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能，并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性，并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC，VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格：2kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出，2个两相输出，1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度。此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...